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双通道 DMOS 全桥驱动器 MS35656 步进驱动 网络监控摄像机

来源:ob欧宝官方网站入口    发布时间:2025-12-05 00:27:39 点击:1次

  MS35656/MS35656N 是一款双通道 DMOS 全桥驱动器,可以驱动一个步进电机或许两个直流电机。每个全桥的驱动电流在 24V 电源下可以作业到 1.4A。MS35656/MS35656N 集成了固定关断时刻的PWM电流校正器,以及一个 2bit 的非线性DAC(数模转换器),使得步进电机可以作业在全步进、半步进、四分之一步进,直流电机可以作业在正转,回转以及待机形式。PWM 电流校正器可以再一次进行挑选快衰减,慢衰减及混合衰减形式,然后针对不同电机以减小音频电机噪声。芯片还内置内部同步整流操控电路,以下降 PWM 作业时的功耗。芯片集成的维护电路有欠压维护(UVLO)、短路维护、翻转电流维护以及过热维护。

  MS35656/MS35656N 可以驱动单个步进电机或两个直流电机。输出全桥为四个 N 型 DMOS 驱动 管,受控于脉冲宽度调制电路(PWM)。每个 H 全桥的输出峰值电流由 ISENX 和 xVREF 一起决议。

  xPHASE 输入脚操控 H 桥的电流方向。xENBL 脚为高时,会翻开相应的全桥输出。下表是全桥控 制的逻辑:

  每个 H 全桥带有固定衰减时刻的 PWM 电流操控电路,使得负载电流不超越设定值 I

  Trip。初始 时,H 桥对角的一对源漏 DMOS 驱动管翻开,电流流入电机和电路检测 Rsense电阻。当 Rsense 上的电压的 5 倍等于 VREF 端口电压时,电流检测比较器重置 PWM 锁存器,关断源端 DMOS 驱动管。 最大电流约束由 Rsense(Rs)电阻巨细以及 VREF 端的电压一起决议,最大电流公式如下:

  留意,使用中 Rsense 上的最大电压值别超越±500mV。 别的,xI1 和 xI0 用来操控电流满量程的占比,占比由 VREF 和 Rsense 设置。功用如下表:

  经过操控,能轻松完成全、半与四分之一步长形式。详见下文“步进相序图”部分。

  内部的 PWM 操控电路集成一个固定时刻脉冲来关断驱动器,关断时刻 toff 内置为 18μs。

  当内部电路操控使得输出发生显着的变化时,此功用能关断输出电流检测比较器,以避免输出误检

  测,比方过冲电流、钳位二极管的反向恢复电流、输出电容引起的反向传输等。空白时刻设置为

  电荷泵电路发生一个比 VM 高的电源,来驱动 H 桥的源端 DMOS 管。使用中,因为充放电的需

  当呈现超越结温、VCP 过低一级意外状况时,输出被关断。在启动时,低压关断电路(UVLO)可以关

  当内部固定衰减时刻电路触发,PWM 关断起作用时,负载电流会发生回流。在电流式微的进程

  管,可以大大下降功耗。当检测到零电流时,同步整流被关断,以避免负载电流反向。

  脚输出。当这几个输入操控脚中有一个变高电平,芯片会被从头唤醒,开端作业。

  MS35656/MS35656N 集成了过流维护功用,可以检测输出对电源、对地以及输出间短路。当检测

  到短路时刻超越 2.5μs 时,芯片将输出级封闭,封闭 20ms 后,芯片会测验主动从头敞开。

  如下图所示,在 PWM 斩波期间,H 桥敞开后,会驱动线圈电流到达设定的值。

  当线圈电流到达设定的阈值后,H 桥或许作业在两种状况,快衰减或许慢衰减。

  在快衰减形式下,当线圈电流到达设定的阈值后,H 桥会反向敞开,让线圈中的电流敏捷下降。 当线 时,H 桥会马上封闭,避免呈现反向电流。 在慢衰减形式下,线圈电流则经过开端双下管来进行衰减。 MS35656/MS35656N 支撑快衰减、慢衰减以及混合衰减形式。经过 DECAY 脚,挑选这几种模 式。 当 DECAY 脚的电压大于 2V 为高电平时,挑选快衰减形式,触发 ITrip 后,电流运转相反方向的两 个功率管翻开,衰减周期 18μs; 当 DECAY 脚的电压小于 1.3V 为低电平时,挑选慢衰减形式,触发 ITrip 后,双下管翻开,衰减周 期 18μs; 当 DECAY 脚的电压在 1.4V 到 1.9V 之间或许悬空时,挑选混合衰减形式,衰减周期 18μs。 如下图 2、图 3 所示,触发 ITrip 后,混合衰减先从快衰减开端,继续整个衰减周期的 75%之后, 再进入慢衰减,整个衰减周期 18μs。

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